半導(dǎo)體掩模版是集成電路制造中的關(guān)鍵材料，被譽為芯片制造的“母版”。它不僅是光刻工藝的圖形載體嗎，更直接影響芯片的性能、良率和制程水平，戰(zhàn)略價值日益凸顯。

作為國內(nèi)極少數(shù)具備獨立研發(fā)能力的第三方半導(dǎo)體掩模版供應(yīng)商，龍圖光罩正以創(chuàng)新為驅(qū)動，加速推進(jìn)這一關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。在全球科技競爭格局重塑的大背景下，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，突破技術(shù)瓶頸，逐步打破國際巨頭在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。2024年，公司業(yè)績保持高速增長，報告期內(nèi)實現(xiàn)營業(yè)收入24,650.35萬元，較上年同期增長12.92%，創(chuàng)近五年新高；實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤9,183.29萬元，同比增長9.84%。

領(lǐng)跑半導(dǎo)體掩模版國產(chǎn)替代，加速高端制程突破

珠海新廠產(chǎn)能釋放，進(jìn)一步增強盈利能力

龍圖光罩專注于半導(dǎo)體掩模版的研發(fā)與生產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋石英掩模版和蘇打掩模版兩類，覆蓋130nm及以上制程節(jié)點，廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器、IC封裝、模擬IC等特色工藝半導(dǎo)體領(lǐng)域。其終端場景包括新能源、光伏發(fā)電、汽車電子、工業(yè)控制、無線通信、消費電子等。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等領(lǐng)域擴(kuò)展，掩模版需求持續(xù)增長。

行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模已突破6000億美元，同比增長近20%。在這一輪產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張中，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控需求尤為迫切。值得注意的是，半導(dǎo)體掩模版領(lǐng)域的國產(chǎn)化率僅為10%，高端領(lǐng)域不足3%，90%依賴進(jìn)口，這為龍圖光罩等本土企業(yè)提供了廣闊的發(fā)展空間。

在量產(chǎn)能力方面，公司不僅實現(xiàn)了130nm節(jié)點的穩(wěn)定量產(chǎn)，更高制程的第三代掩模版PSM產(chǎn)品也已進(jìn)入客戶驗證階段。報告期內(nèi)，珠海工廠的主要生產(chǎn)設(shè)備陸續(xù)到貨并順利完成安裝調(diào)試。隨著項目推進(jìn)，公司產(chǎn)品量產(chǎn)制程水平將進(jìn)一步提升至90nm、65nm，實現(xiàn)技術(shù)迭代，下游應(yīng)用也將隨之?dāng)U展至驅(qū)動芯片、MCU、信號鏈、CIS、Flash、eNVM等領(lǐng)域。目前，公司技術(shù)實力在國內(nèi)第三方半導(dǎo)體掩模版廠商中處于第一梯隊，滿足下游大型晶圓廠的配套需求，進(jìn)一步提升市場競爭力和份額。

在市場布局上，公司已建立起優(yōu)質(zhì)的客戶生態(tài)，與華虹宏力、比亞迪半導(dǎo)體等頭部企業(yè)保持長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器等領(lǐng)域。值得一提的是，隨著產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，高附加值的石英掩模版收入占比已提升至81.31%，顯著增強了公司的盈利能力。

研發(fā)投入加碼，突破納米級工藝難關(guān)

OPC/PSM技術(shù)躋身行業(yè)前列

半導(dǎo)體掩模版生產(chǎn)工藝復(fù)雜，涉及光刻、檢測、修補等環(huán)節(jié)，需滿足納米級精度要求，對最小線寬、位置精度、CD精度及缺陷管控等均有極高標(biāo)準(zhǔn)，技術(shù)壁壘極高。掩模版供應(yīng)商必須具備強大的制程工藝水平、精度控制能力以及完善的技術(shù)研發(fā)體系，才能滿足半導(dǎo)體制造的苛刻需求。龍圖光罩始終致力于通過持續(xù)研發(fā)投入與技術(shù)創(chuàng)新，追趕國際先進(jìn)水平。公司已建立起完整的技術(shù)體系，涵蓋CAM、光刻、檢測三大環(huán)節(jié)，擁有14項核心工藝技術(shù)，包括圖形補償（OPC）技術(shù)、精準(zhǔn)對位標(biāo)記技術(shù)、光刻制程管控技術(shù)、曝光精細(xì)化控制技術(shù)、缺陷修補與異物去除技術(shù)等。其中，OPC補償和PSM相移掩模技術(shù)已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

2024年，公司研發(fā)投入再創(chuàng)新高，達(dá)2,305萬元，同比增長14.25%，為技術(shù)突破提供了堅實保障。報告期內(nèi)，公司對第三代半導(dǎo)體掩模版技術(shù)進(jìn)行了全流程研發(fā)和工藝調(diào)試，新獲授權(quán)專利18項（發(fā)明專利9項，實用新型專利9項）。截至報告期末，公司累計取得25項發(fā)明專利和36項軟件著作權(quán)，研發(fā)優(yōu)勢顯著。這些成果將助力公司保持在半導(dǎo)體掩模版領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

根據(jù)戰(zhàn)略規(guī)劃，未來三至五年，公司將圍繞高端半導(dǎo)體芯片掩模版領(lǐng)域，持續(xù)加大研發(fā)和資金投入，逐步實現(xiàn)90nm、65nm及更高節(jié)點的高端制程掩模版量產(chǎn)與國產(chǎn)化配套，擴(kuò)大營業(yè)收入規(guī)模和市場占有率。此外，公司計劃建立國內(nèi)專業(yè)化的半導(dǎo)體掩模版工程中心，聯(lián)合高校及科研院所，針對高端制程掩模版制造技術(shù)展開研發(fā)，拓寬產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)作，實現(xiàn)部分工序的自制化。